VN808CMTR-32-E

八路高端驱动器

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描述: VN808CM - 32 - E是一款采用VIPower M0 - 3技术设计的单片器件，旨在驱动一端接地的任何类型负载。它可以使用3.3 V逻辑电源驱动。有源电流限制与热关断和自动重启功能相结合，可保护器件免受过载影响
品牌名称: ST(意法半导体)
商品型号: VN808CMTR-32-E
商品编号: C5268115
商品封装: PowerSO-36
包装方式: 编带
商品毛重: 2.54克(g)

商品参数

	属性	参数值
	最大连续电流	1A
	导通电阻	160mΩ
	功能特性	短路保护；过流保护；过温保护；欠压锁定；反向电压保护
	工作温度	-40℃~+125℃

商品概述

VN808CM-32-E是一款单片器件，采用VIPower M0-3技术，旨在驱动任何一端接地的负载。可使用3.3V逻辑电源驱动。主动电流限制结合热关断和自动重启，保护器件免受过载。过载条件下，通道自动关断再开启，以维持结温在T_TSD和T_R之间。如果此条件使外壳温度达到T_CSD，过载通道会关断，外壳温度降至T_CR时重新开启。未过载通道继续正常工作。接地引脚断开时，器件自动关断。反向极性保护可通过两种方案在板上实现：1. 在IC接地引脚和负载接地之间放置电阻R_GND；2. 在IC接地引脚和负载接地之间放置二极管。若选择方案1，最小电阻值需根据公式R_GND≥V_CC/I_GND选择，其中I_GND是直流反向接地引脚电流。方案1中电阻R_GND的功耗（反向极性时V_CC<0）为P_D=(V_CC)^2/R_GND。若选择方案2，二极管需满足VRRM> |V_CC|及其功耗能力，公式为P_D≥I_S*V_f。正常条件下，二极管会导致器件接地和系统接地之间存在电压降。

商品特性

CMOS兼容输入
结温过热保护
外壳过热保护（通道热独立）
电流限制
短路负载保护
欠压关断
接地丢失保护
极低待机电流
符合61000-4-4 IEC测试（最高4kV）

应用领域

符合IEC 61131的工业应用

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	功率电子开关
	类型	高侧开关
	通道数	8
	输入控制逻辑	高电平有效
	工作电压	10.5V~45V