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VIPERGAN65TR
采用增强型氮化镓高电子迁移率晶体管（E-mode GaN HEMT）的先进准谐振离线高压转换器
- 描述
- 采用增强模式GaN HEMT的高级准谐振离线高压变换器
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- VIPERGAN65TR
- 商品编号
- C5267685
- 商品封装
- GQFN(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.24克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | AC-DC控制器和稳压器 | |
| 是否隔离 | 非隔离 | |
| 工作电压 | 85V~265V | |
| 开关频率 | 10kHz~240kHz | |
| 输出电流 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 65W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最大占空比 | 5% | |
| 晶体管耐压 | 650V | |
| 拓扑结构 | 反激式 | |
| 特性 | 欠压保护(UVP)；过热保护(OTP)；短路保护(SCP)；过压保护(OVP)；过流保护(OCP) | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| 工作模式 | QR |
商品概述
VIPERGAN65是一款高压转换器，专为中功率准谐振零电压开关（ZVS，开关导通时实现零电压切换）反激式转换器而设计，能够在宽范围内提供高达65 W的输出功率。 它集成了一系列功能，使芯片极其灵活且易于使用，有助于设计高效的离线电源。具有动态消隐时间功能和谷底同步功能的ZVS准谐振操作，可使功率开关始终在漏极谐振谷底导通，从而降低开关损耗，并在任何输入线路和负载条件下实现整体效率最大化。具备低静态电流的先进电源管理有助于实现低待机功耗。前馈补偿可将整个输入电压范围内的最大输出峰值功率变化降至最低。 除上述功能外，该器件还具备保护功能，可显著提高终端产品的安全性和可靠性：输出过压保护、过温保护（OTP）、过载保护（OLP）、欠压/过压保护（设置转换器的输入电压开启和关闭电平）以及输入过压保护（iOVP），可在输入线路异常升高时保护系统。所有保护均为自动重启模式。
商品特性
- 准谐振（QR）反激式控制器
- 650 V E型功率氮化镓（GaN）晶体管
- 嵌入式检测场效应晶体管（FET）
- 动态消隐时间和可调谷底同步延迟功能，可在任何输入线路和负载条件下实现效率最大化
- 谷底锁定，确保恒定的谷底跳跃
- 采用自适应突发模式的先进电源管理，待机功耗低于30 mW
- 输出过压保护（OVP）
- 输入电压前馈补偿，使最大输出功率（OPP）变化不受市电影响
- 欠压/过压保护
- 输入过压保护
- 嵌入式热关断
- 频率抖动，用于抑制电磁干扰（EMI）
应用领域
- 高效电源适配器
- 快速电池充电器
- 家电、工业、消费电子、照明设备的辅助电源