MASTERGAN2TR

一款先进的功率系统级封装产品，以非对称半桥配置集成了一个栅极驱动器和两个增强型氮化镓（GaN）晶体管。 集成的功率GaN晶体管的漏源极阻断电压为650 V，低侧和高侧的导通电阻RDS(ON)分别为150 mΩ和225 mΩ，而嵌入式栅极驱动器的高侧可通过集成的自举二极管轻松供电。 它在上下驱动部分均具备欠压锁定（UVLO）保护功能，可防止功率开关在低效率或危险条件下工作，并且互锁功能可避免出现直通现象。 输入引脚的扩展范围便于与微控制器、DSP单元或霍尔效应传感器轻松接口。 该器件的工作温度范围为工业级，即 -40℃至125℃。 该器件采用紧凑的9x9 mm QFN封装。

• 600 V系统级封装，以非对称配置集成半桥栅极驱动器和高压功率GaN晶体管
• QFN 9x9x1 mm封装
• RDS(ON)=150 mΩ（低侧）+225 mΩ（高侧）
• IDS(MAX)=10 A（低侧）+6.5 A（高侧）
• 反向电流能力
• 零反向恢复损耗
• 低侧和高侧均具备欠压锁定（UVLO）保护
• 内部自举二极管
• 互锁功能
• 具备用于关断功能的专用引脚
• 精确的内部时序匹配
• 3.3 V至15 V兼容输入，带迟滞和下拉功能
• 过温保护
• 减少物料清单
• 非常紧凑且简化的布局
• 灵活、简便且快速的设计

• 开关模式电源
• 充电器和适配器
• 高压功率因数校正（PFC）和DC-DC转换器