温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
L6391DTR
高压高端和低端驱动器
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- L6391是一款采用BCD “离线式”技术制造的高压器件。它是一款用于N沟道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动器。高端（浮动）部分设计为可承受高达600 V的电压轨
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- L6391DTR
- 商品编号
- C5267661
- 商品封装
- SO-14
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.252克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 430mA | |
| 拉电流(IOH) | 290mA | |
| 工作电压 | 12.5V~20V | |
| 上升时间(tr) | 75ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 35ns | |
| 传播延迟 tpLH | 50ns | |
| 传播延迟 tpHL | 50ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP)；过流保护(OCP)；过热保护(OPT) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 1.9V~2.25V | |
| 输入低电平(VIL) | 800mV~1.1V |
商品概述
L6391是一款高压器件，是用于N沟道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动器。高端（浮动）部分设计可承受高达600 V的电压轨。逻辑输入与低至3.3 V的CMOS/TTL兼容，便于与微控制器/DSP接口。集成了一个比较器，可用于过流、过热等保护。
商品特性
- 高达600 V的高压轨
- 在全温度范围内dV/dt抗扰度为± 50 V/nsec
- 驱动电流能力：源电流290 mA，灌电流430 mA
- 带1 nF负载时，上升/下降时间为75/35 nsec
- 带迟滞的3.3 V、5 V TTL/CMOS输入
- 集成自举二极管
- 用于故障保护的比较器
- 智能关断功能
- 可调节死区时间
- 互锁功能
- 紧凑且简化的布局
- 减少物料清单
- 有效的故障保护
- 灵活、简便且快速的设计
应用领域
- 家用电器电机驱动器
- 工厂自动化
- 工业驱动器和风扇
- 高强度气体放电（HID）镇流器
- 电源装置