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NTR4503NT1G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NTR4503NT1G

1个N沟道 耐压:30V 电流:3A

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描述
特性:快速开关。 低栅极电荷和导通电阻。 低反向传输电容。 100%单脉冲雪崩能量测试。应用:PWM应用。 负载开关
商品型号
NTR4503NT1G
商品编号
C5250726
商品封装
SOT-23-3​
包装方式
编带
商品毛重
0.41克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)3A
导通电阻(RDS(on))65mΩ@10V
耗散功率(Pd)900mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1V
栅极电荷量(Qg)10nC@10V
输入电容(Ciss)240pF
反向传输电容(Crss)18pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)35pF

商品概述

这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC-Q101标准,有生产件批准程序(PPAP)支持,非常适合用于:DC-DC转换器、电源管理功能 - 背光

商品特性

  • 快速开关
  • 低栅极电荷和导通电阻
  • 低反向传输电容
  • 100%单脉冲雪崩能量测试

应用领域

  • 脉宽调制(PWM)应用
  • 负载开关
  • 电源管理

数据手册PDF