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FQD7P20TM
1个P沟道 耐压:200V 电流:10A
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- 描述
- 特性：RDS(ON) < 0.9Ω @ VGS = 10V (典型值0.7Ω)。 高密度单元设计，实现超低RDS(ON)。 完全表征雪崩电压和电流。 出色的散热封装。应用：电源开关应用。 硬开关和高频电路
- 品牌名称
- Tokmas(托克马斯)
- 商品型号
- FQD7P20TM
- 商品编号
- C5250729
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.37克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 900mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 960pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 180pF |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC-Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于：电源管理、DC-DC转换器、电机控制
商品特性
- 在VGS = 10 V时,RDS(ON) < 0.9 Ω(典型值0.7Ω)
- 采用高密度单元设计,实现超低导通电阻Rdson
- 具备完整的雪崩电压和电流特性
- 封装散热性能良好
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源