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FDS9435A
1个P沟道 耐压:30V 电流:5.1A
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- 描述
- 特性：RDS(ON) < 55mΩ @ VGS =-10V (Typ43mΩ)。 高密度单元设计，实现超低 RDS(ON)。 完全表征雪崩电压和电流。 出色的封装，利于散热。应用：电源开关应用。 硬开关和高频电路
- 品牌名称
- Tokmas(托克马斯)
- 商品型号
- FDS9435A
- 商品编号
- C5250731
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 43mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC | |
| 输入电容(Ciss) | 980pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 135pF | |
| 工作温度 | -55℃~+155℃ | |
| 输出电容(Coss) | 390pF |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC-Q101标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下方面： 电源管理功能 DC-DC转换器
- 背光照明
商品特性
- 在VGS = -10 V时,RDS(ON) < 55 mΩ(典型值43 mΩ)
- 采用高密度单元设计,实现超低导通电阻
- 具备完整的雪崩电压和电流特性
- 封装散热性能出色
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源
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