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IXTY01N100实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IXTY01N100

1个N沟道 耐压:1000V 电流:0.5A

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描述
特性:快速开关。 低导通电阻 (Rₒₙ ≤ 55Ω)。 低栅极电荷。 低反向传输电容。 100%单脉冲雪崩能量测试。应用:适配器和充电器的电源开关电路
商品型号
IXTY01N100
商品编号
C5250734
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.44克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)1kV
连续漏极电流(Id)500mA
导通电阻(RDS(on))55Ω@10V
耗散功率(Pd)25W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)10nC@10V
输入电容(Ciss)70pF
反向传输电容(Crss)2.8pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)14.5pF

商品特性

  • 低导通电阻。
  • 快速开关速度。
  • 栅源电压(VGSS)保证为±20 V。
  • 驱动电路可以很简单。
  • 易于并联使用。
  • 无铅引脚镀层;符合RoHS标准

应用领域

  • 开关

数据手册PDF