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FDMC4435BZ
1个P沟道 耐压:30V 电流:12A
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- 描述
- 特性：RDS(ON) < 14 mΩ @ VGS = 10V (Typ11mΩ)。 高密度单元设计，实现超低RDS(ON)。 完全表征雪崩电压和电流。 出色的散热封装。应用：功率开关应用。 硬开关和高频电路
- 品牌名称
- Tokmas(托克马斯)
- 商品型号
- FDMC4435BZ
- 商品编号
- C5250730
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 快速开关
- 低导通电阻（Rdson ≤ 55 Ω）
- 低栅极电荷
- 低反向传输电容
- 100%单脉冲雪崩能量测试
应用领域
- 适配器和充电器的电源开关电路
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