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FQD2N100TM
1个N沟道 耐压:1000V 电流:2A
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- 描述
- 特性：快速开关。 低栅极电荷和导通电阻。 低反向传输电容。 100%单脉冲雪崩能量测试。应用：适配器和充电器的电源开关电路
- 品牌名称
- Tokmas(托克马斯)
- 商品型号
- FQD2N100TM
- 商品编号
- C5250728
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.36克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.8Ω@10V,1A | |
| 耗散功率(Pd) | 85W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 380pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |