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ATM2320KNSQ
20V N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- ATM2320KNSQ 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度先进沟槽技术制造，可实现出色的导通电阻 RDS(ON)。这种高密度工艺专门用于最小化导通状态电阻。该器件特别适用于低压应用，并且在超小外形的表面贴装封装中需要低在线功率损耗
- 品牌名称
- Agertech(艾吉芯)
- 商品型号
- ATM2320KNSQ
- 商品编号
- C5240988
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@4.5V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.12nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 155pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款MOSFET旨在将导通电阻（RDS(ON)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低RDS(ON)——确保导通损耗最小化
- 小尺寸、热效率高的封装，可实现更高密度的终端产品
- 仅占用SO - 8封装33%的电路板面积，使终端产品体积更小
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，是“绿色”器件
- 通过AEC - Q101标准认证，具备高可靠性
- 可提供生产件批准程序（PPAP）文件
应用领域
- 背光照明
- 电源管理功能
- DC - DC转换器
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