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ATM10N65TF
N沟道增强型场效应晶体管
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- 描述
- ATM10N65TF是一款高压功率MOSFET，它采用先进的沟槽式MOSFET设计，具备更优的特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高抗雪崩特性。这款功率MOSFET通常用于开关电源和适配器的高速开关应用中。
- 品牌名称
- Agertech(艾吉芯)
- 商品型号
- ATM10N65TF
- 商品编号
- C5240989
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 38W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.3nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.3pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
MDT30N06L采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷，适用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = 60V，ID = 30A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 30mΩ
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 40mΩ
- 高密度单元设计，降低导通电阻
- 雪崩电压和电流特性完整
- 高EAS，稳定性和一致性良好
- 采用散热性能出色的封装
应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源