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MPT035N08
1个N沟道 耐压:85V 电流:185A
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- 描述
- N- 沟道增强型功率 MOSFET 通过先进的双沟槽技术获得，可降低传导损耗，改善开关性能并增强雪崩能量。适用于 BMS 和大电流开关应用。
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- MPT035N08
- 商品编号
- C5240681
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.96克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 85V | |
| 连续漏极电流(Id) | 185A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@10V,50A | |
| 耗散功率(Pd) | 208.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 124nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.234nF@42.5V | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF@42.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
MDT100N06采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷，适用于多种应用。
商品特性
- 漏源极电压VDS = 60 V，漏极电流ID = 100 A
- 栅源极电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 7 mΩ
- 采用特殊工艺技术，具备高静电放电（ESD）能力
- 高密度单元设计，可降低导通电阻Rdson
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 具有高单脉冲雪崩能量EAS，稳定性和一致性良好
- 采用优秀封装，散热性能良好
应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源