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MDT30N06L实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MDT30N06L

1个N沟道 耐压:60V 电流:30A

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描述
MDT30N06L采用先进的沟槽技术,具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷,可用于多种应用场景。
品牌名称
minos(迈诺斯)
商品型号
MDT30N06L
商品编号
C5240683
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.44克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on))40mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)44W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.8V
栅极电荷量(Qg)21nC@10V
输入电容(Ciss)670pF
反向传输电容(Crss)66pF
工作温度-55℃~+175℃

商品特性

  • VDS = 60V,ID = 30A
  • 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 30mΩ
  • 在VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 40mΩ
  • 高密度单元设计,降低导通电阻
  • 雪崩电压和电流特性完整
  • 高EAS,稳定性和一致性良好
  • 采用散热性能出色的封装

应用领域

  • 功率开关应用
  • 硬开关和高频电路
  • 不间断电源

数据手册PDF