温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MDT100N06
1个N沟道 耐压:60V 电流:100A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- MDT100N06采用先进的沟槽技术，具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷，可应用于多种领域。
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- MDT100N06
- 商品编号
- C5240686
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.44克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 143W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 270pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 345pF |
商品概述
专为电源、转换器、动力电机控制和桥式电路中的低电压、高速开关应用而设计。
商品特性
- 漏源极电压VDS = 60 V,漏极电流ID = 100 A
- 栅源极电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON) < 7 mΩ
- 采用特殊工艺技术,具备高静电放电(ESD)能力
- 高密度单元设计,可降低导通电阻Rdson
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 具有高单脉冲雪崩能量EAS,稳定性和一致性良好
- 采用优秀封装,散热性能良好
应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源
相似推荐
其他推荐