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IPT60R055CFD7XTMA1

650V 27A

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描述
CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者,是针对软开关应用(如移相全桥(ZVS)和LLC)优化的平台。由于降低了栅极电荷,具有同类最佳的反向恢复电荷和改进的关断性能,CoolMOS CFD7在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分,这个新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换向鲁棒性相结合,且在设计过程中易于实现。
商品型号
IPT60R055CFD7XTMA1
商品编号
C5240738
商品封装
HSOF-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.9克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)27A
导通电阻(RDS(on))55mΩ@10V
耗散功率(Pd)236W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)67nC@10V
输入电容(Ciss)2.724nF
反向传输电容(Crss)987pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-

商品概述

CoolMOS是用于高压功率MOSFET的一项革命性技术,它基于超结(SJ)原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的后续产品,是专门针对移相全桥(ZVS)和LLC等软开关应用优化的平台。由于降低了栅极电荷(Qg)、拥有同类最佳的反向恢复电荷(Qrr)并改善了关断特性,CoolMOS CFD7在谐振拓扑中实现了最高效率。作为快速体二极管产品组合的一部分,这个新产品系列融合了快速开关技术的所有优势,同时具备出色的硬换流鲁棒性,且不影响设计导入过程的简易性。

商品特性

-超快体二极管-低栅极电荷-同类最佳的反向恢复电荷(Qrr)-改善了MOSFET反向二极管的dv/dt和diF/dt鲁棒性-最低的品质因数RDS(ON)*Qg和RDS(ON)*Eoss-SMD和THD封装中同类最佳的RDS(ON)

应用领域

  • 软开关拓扑
  • 移相全桥(ZVS)、LLC应用——服务器、电信、电动汽车充电

数据手册PDF