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IPT60R055CFD7XTMA1
650V 27A
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- 描述
- CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者，是针对软开关应用（如移相全桥（ZVS）和LLC）优化的平台。由于降低了栅极电荷，具有同类最佳的反向恢复电荷和改进的关断性能，CoolMOS CFD7在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换向鲁棒性相结合，且在设计过程中易于实现。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPT60R055CFD7XTMA1
- 商品编号
- C5240738
- 商品封装
- HSOF-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 27A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 236W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 67nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.724nF@400V | |
| 反向传输电容(Crss) | 987pF@400V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
WSD30150ADN56是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷特性。 WSD30150ADN56符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，具备完整的可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制能力
- 100%雪崩能量耐量（EAS）保证
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 高频负载点同步降压转换器-网络直流-直流电源系统-电动工具应用