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MDT08N06
1个N沟道 耐压:60V 电流:80A
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- 描述
- MDT08N06采用先进的沟槽技术，具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷，可应用于多种领域。
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- MDT08N06
- 商品编号
- C5240687
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.44克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 107W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 72nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 240pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在将导通电阻（R_DS(ON)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 典型离板高度为0.6mm，非常适合薄型应用
- 低RDS(ON)，可将传导损耗降至最低
- PCB占位面积为2.56mm²
- 栅极具备ESD保护
- 完全无铅，完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，是“绿色”器件
应用领域
- 电源管理功能
- 负载开关