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MPG08N68S
1个N沟道 耐压:68V
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- 描述
- MPG08N68采用先进的沟槽技术，具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。它可应用于多种领域。
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- MPG08N68S
- 商品编号
- C5240684
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 68V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款N沟道功率MOSFET采用了STripFET™ F7技术，其沟槽栅极结构经过优化，可实现极低的导通电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而实现更快、更高效的开关操作。
商品特性
- VDS = 68 V,ID = 100 A
- 在VGS = 10 V时,RDS(ON) < 7.5 mΩ
- 采用特殊工艺技术,具备高ESD能力
- 高密度单元设计,实现超低Rdson
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高EAS,稳定性和一致性良好
- 采用优秀封装,散热性能良好
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源
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