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MPG180N10P
1个N沟道 耐压:100V 电流:180A
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- 描述
- MPG180N10P采用先进的沟槽技术，具备出色的导通电阻（Rds(on)）和低栅极电荷，可应用于多种领域。
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- MPG180N10P
- 商品编号
- C5240685
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.88克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 211W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 108nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 13.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 635pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
AO4884是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻 RDS(on)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品AO4884为无铅产品。
商品特性
- VDS = 100 V,ID = 180 A,在 VGS = 10 V 时,RDS(ON) < 6 m Ω
- 采用特殊工艺技术,具备高静电放电(ESD)能力
- 高密度单元设计,可降低导通电阻 RDS(ON)
- 对雪崩电压和电流进行了全面特性表征
- 具有高单脉冲雪崩能量(EAS),稳定性和一致性良好
- 采用出色的封装,散热性能优异
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源