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MPT028N10
1个N沟道 耐压:100V 电流:180A
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- 描述
- N-channel Enhanced Power MOSFETs，是通过先进的双沟槽技术获得的，该技术可降低传导损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。适用于BMS和高电流开关应用。
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- MPT028N10
- 商品编号
- C5240682
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.86克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.7mΩ@10V,50A | |
| 耗散功率(Pd) | 250W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 131nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.2nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
ES5N10是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品ES5N10为无铅产品。
商品特性
- 100V，栅源电压（VGS） = 10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 90 mΩ（典型值）
- 栅源电压（VGS） = 4.5 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 120 mΩ（典型值）
- 采用沟槽MOSFET技术
- 高密度单元设计，实现低漏源导通电阻（RDS(on)）
- 材料：无卤素
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低漏电流
应用领域
-PWM应用-负载开关-便携式/台式PC的电源管理-DC/DC转换