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SI2301-ES
1个P沟道 耐压:20V 电流:2A
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- 描述
- P沟道，-20V，-2A，82mΩ@-4.5V,-2.0A；应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- SI2301-ES
- 商品编号
- C5224169
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 82mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 800mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 620mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 185pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 35pF |
商品概述
WTM2302采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20V，ID = 2.6A
- 栅源电压为2.5V时，漏源导通电阻 < 80 mΩ
- 栅源电压为4.5V时，漏源导通电阻 < 56 mΩ
- 具备高功率和高电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 采用表面贴装封装
应用领域
-电池保护-负载开关-电源管理