温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SI2302DS-T1-GE3-ES
1个N沟道 耐压:20V 电流:3.3A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- N沟道,20V,3.5A,45mΩ@4.10V；应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- SI2302DS-T1-GE3-ES
- 商品编号
- C5224184
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 400mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 200pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 28pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 35pF |
商品概述
SI2301DS-ES是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通状态漏源电阻（RDS(ON)）。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品SI2301DS-ES为无铅产品。
商品特性
- -20V，栅源电压（VGS） = -4.5V时，导通状态漏源电阻（RDS(ON)） = 90mΩ（典型值）
- 栅源电压（VGS） = -2.5V时，导通状态漏源电阻（RDS(ON)） = 110mΩ（典型值）
- 快速开关
- 高密度单元设计，实现低导通状态漏源电阻（RDS(on)）
- 材料：无卤素
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低泄漏电流
应用领域
-PWM应用-负载开关-便携式/台式PC的电源管理-DC/DC转换