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CJ3420-ES
1个N沟道 耐压:20V 电流:4A
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- 描述
- N沟道,20V,4.0A,,25.0mΩ@4.5V,0.75V@250uA；应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- CJ3420-ES
- 商品编号
- C5224176
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@4.5V；29mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 750mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 470pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
SUPERFET II MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。该技术旨在最大程度降低传导损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。此外，内部栅源ESD二极管可承受超过2kV的HBM浪涌应力。因此，SUPERFET II MOSFET非常适用于音频、笔记本电脑适配器、照明、ATX电源和工业电源等开关电源应用。
商品特性
- 典型漏源导通电阻 (RDS(on)) = 340 mΩ
- 超低栅极电荷（典型栅极电荷 (Qg) = 43 nC）
- 低输出存储能量 (Eoss)（典型值4.1 μJ @ 400 V）
- 低有效输出电容（典型有效输出电容 (Coss(eff.)) = 138 pF）
- 100%雪崩测试
- 提高ESD能力
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
-交直流电源-LED照明