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SI2301DS-ES
1个P沟道 耐压:20V 电流:2.3A
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- 描述
- P沟道，-20V，-2A，82mΩ@-4.5V,-2.0A；应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- SI2301DS-ES
- 商品编号
- C5224173
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.045克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3.3nC@2.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 405pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 75pF |
商品概述
ESJ2302是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的漏源导通电阻。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品ESJ2302为无铅产品。
商品特性
- 20V，栅源电压为4.5V时，漏源导通电阻 = 45 mΩ（典型值）
- 栅源电压为2.5V时，漏源导通电阻 = 62 mΩ（典型值）
- 高密度单元设计，实现低漏源导通电阻
- 材料：无卤素
- 可靠耐用
- 具备静电放电保护
- 低漏电流
应用领域
-PWM应用-负载开关-便携式/台式电脑的电源管理-DC/DC转换