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SIR416DP-T1-GE3
1个N沟道 耐压:40V 电流:50A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIR416DP-T1-GE3
- 商品编号
- C5224038
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.29克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 5.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.35nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 197pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
ATM7414NDH采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。标准产品ATM7414NDH为无铅产品。
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 负载点电源(POL)
- 同步整流