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SI4401FDY-T1-GE3
1个P沟道 耐压:40V 电流:14A
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- 描述
- 特性：TrenchFET第三代P沟道功率MOSFET。100%进行Rg测试。应用：适配器开关。负载开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI4401FDY-T1-GE3
- 商品编号
- C5224047
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14.2mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 270pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 优化的Qg、Qgd以及Qgd/Qgs比，可降低开关相关的功率损耗
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 同步整流-高功率密度DC/DC-同步降压转换器-负载开关