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IRFBG20PBF
1个N沟道 耐压:1000V 电流:0.86A
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- 描述
- 第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。TO-220AB封装在功率耗散水平约为50W的所有商业-工业应用中普遍受到青睐。TO-220AB的低热阻和低封装成本使其在整个行业中得到广泛认可。
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRFBG20PBF
- 商品编号
- C5224098
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.734克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 860mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11Ω@10V,0.84A | |
| 耗散功率(Pd) | 54W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 500pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 针对充电器应用进行优化
- 用于高频开关电源（SMPS）的极低品质因数（FOM）输出电荷（Qoss）
- 用于高频开关电源（SMPS）的低品质因数（FOM）开关电荷（Qsw）
- 出色的栅极电荷 x 导通电阻 RDS(on) 乘积（FOM）
- 在 VGS = 4.5 V 时导通电阻 RDS(on) 极低
- 经过 100% 雪崩测试
- N 沟道
- 无铅引脚镀层；符合 RoHS 标准
- 根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品