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IRFB11N50APBF
1个N沟道 耐压:500V
- 描述
- 特性：低栅极电荷Qg，驱动要求简单。 改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的坚固性。 完全表征的电容、雪崩电压和电流。应用：开关模式电源 (SMPS)。 不间断电源
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRFB11N50APBF
- 商品编号
- C5224097
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.52克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 520mΩ@10V,6.6A | |
| 耗散功率(Pd) | 170W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 52nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.423nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.1pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 208pF |
交货周期
订货5-7个工作日购买数量
(1000个/管，最小起订量 1000 个)个
起订量：1000 个1000个/管
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单
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