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SI2369BDS-T1-GE3
1个P沟道 耐压:30V 电流:5.6A
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- 描述
- 特性：TrenchFET Gen IV p沟道功率MOSFET。 100% Rg和UIS测试。应用：负载开关。 电路保护
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI2369BDS-T1-GE3
- 商品编号
- C5224058
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.018克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 745pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
This 5.7 mΩ, 60V NexFET power MOSFET in a 5 mm × 6 mm SON package is used to pair with the CSD18537NQ5A control FET and serve as the synchronous FET for a complete industrial buck converter chipset solution.
商品特性
- TrenchFET第四代P沟道功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
-负载开关-电路保护-电机驱动控制