ATM7N65ATE
N沟道增强型场效应晶体管
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- 描述
- ATM7N65ATE是一款高压大电流功率MOSFET,具备更优特性,如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高抗雪崩特性。该功率MOSFET通常用于电源、PWM电机控制、高效DC - DC转换器和桥接电路等高速开关应用中。
- 品牌名称
- Agertech(艾吉芯)
- 商品型号
- ATM7N65ATE
- 商品编号
- C5221644
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 48W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 130nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.255nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
SVG103R0NT(S)(KL)(S6)(P7)是一款采用矽力杰(Silan)的低压MOS(LVMOS)技术制造的N沟道增强型功率MOS场效应晶体管。经过改进的工艺和单元结构专门针对降低导通电阻和提供卓越的开关性能进行了优化。 该器件广泛应用于不间断电源(UPS)和逆变器系统的电源管理。
商品特性
- 在VGS = 10 V时,RDS(ON) < 1.4 Ω
- 快速开关能力
- 规定雪崩能量
- 改善dv/dt能力,高耐用性
- TO - 252
应用领域
- 电源
- PWM电机控制
- 高效DC - DC转换器
- 桥接电路
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