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ATM7N65ATE
N沟道增强型场效应晶体管
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- 描述
- ATM7N65ATE是一款高压大电流功率MOSFET，具备更优特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高抗雪崩特性。该功率MOSFET通常用于电源、PWM电机控制、高效DC - DC转换器和桥接电路等高速开关应用中。
- 品牌名称
- Agertech(艾吉芯)
- 商品型号
- ATM7N65ATE
- 商品编号
- C5221644
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@10V,4A | |
| 耗散功率(Pd) | 48W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 130nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.255nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
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