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ATM2301PSC
P沟道增强型场效应晶体管
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- 描述
- 特性：Trench FET Power MOSFET。 优秀的RDS(on)和低栅极电荷。 RDS(ON) < 110mΩ (VGS = 4.5V)。 RDS(ON) < 130mΩ (VGS = 2.5V)。应用：DC/DC转换器。 便携式设备负载开关
- 品牌名称
- Agertech(艾吉芯)
- 商品型号
- ATM2301PSC
- 商品编号
- C5221636
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.045克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.3nC@2.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 405pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 沟槽式场效应晶体管功率MOSFET
- 出色的导通电阻RDS(on)和低栅极电荷
- 导通电阻RDS(ON) < 110 mΩ(栅源电压VGS = -4.5 V)
- 导通电阻RDS(ON) < 130 mΩ(栅源电压VGS = -2.5 V)
应用领域
- 直流-直流转换器
- 便携式设备的负载开关
- 电池开关
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