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CMD25N20A
1个N沟道 耐压:200V 电流:20A
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- 描述
- 这些MOSFET采用先进的制造工艺，以实现单位硅片面积极低的导通电阻。这一优势，再结合快速的开关速度和耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可广泛应用于各种领域。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD25N20A
- 商品编号
- C5203926
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.39克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 170mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 70W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 输出电容(Coss) | 230pF |
商品概述
CMSA046N10A采用沟槽MOSFET技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于RDS(ON)、Ciss和Coss的极低组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合用于消费、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
商品特性
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 5mΩ
- 针对直流-直流转换进行优化
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 符合RoHS标准
应用领域
- 直流-直流转换器-电机驱动-动力系统管理