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CMB18N20A
1个N沟道 耐压:200V 电流:18A
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- 描述
- CMB18N20A采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可应用于各种不同的领域。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMB18N20A
- 商品编号
- C5203925
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.69克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 100W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.38nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CMN1052M将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适用于消费类、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
商品特性
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 160mΩ
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 270mΩ
- SOT-23-3L封装
应用领域
- DC-DC转换器-负载开关-系统开关