商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 100W |
商品概述
射频功率晶体管，专为工作频率在1.8至2000 MHz之间的窄带和宽带工业、科学和医疗（ISM）以及广播应用而设计。这些器件采用增强型耐用平台制造，适用于会遇到高电压驻波比（VSWR）的应用场景。
商品特性
- 宽工作频率范围
- 极高的耐用性
- 无需匹配,能够实现超宽带操作
- 集成稳定性增强措施
- 低热阻
- 集成静电放电(ESD)保护电路
- 采用卷带包装。后缀R5表示每卷50个器件,卷带宽度56 mm,卷轴直径13英寸。
应用领域
- 窄带和宽带工业、科学和医疗(ISM)应用
- 广播