A2T07D160W04SR3
A2T07D160W04SR3
- 描述
- 射频 工业、科技及医用射频
- 品牌名称
- NXP(恩智浦)
- 商品型号
- A2T07D160W04SR3
- 商品编号
- C5196428
- 商品封装
- SOT-1826-1
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 30W |
商品概述
这款30 W对称式多尔蒂射频功率LDMOS晶体管专为需要极宽瞬时带宽能力、覆盖716至960 MHz频率范围的蜂窝基站应用而设计。
商品特性
- 专为宽瞬时带宽应用设计
- 更大的负栅源电压范围，改善C类工作状态
- 能够承受极高的输出电压驻波比和宽带工作条件
- 专为数字预失真误差校正系统设计
- 采用卷带包装。后缀R3表示250个元件，32 mm卷带宽度，13英寸卷轴。
应用领域
- 蜂窝基站应用