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AFT05MS031GNR1
N沟道 40V
- 描述
- 射频 工业、科技及医用射频
- 品牌名称
- NXP(恩智浦)
- 商品型号
- AFT05MS031GNR1
- 商品编号
- C5196518
- 商品封装
- SOT-1731-1
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 耗散功率(Pd) | 31W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V | |
| 输入电容(Ciss) | 109pF |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向传输电容(Crss) | 1.6pF | |
| 工作温度 | -40℃~+225℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 49.5pF |
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