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MRFE6VP5150NR1
MRFE6VP5150NR1
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- 品牌名称
- NXP(恩智浦)
- 商品型号
- MRFE6VP5150NR1
- 商品编号
- C5196440
- 商品封装
- SOT-1736-1
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.96克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 139V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 输入电容(Ciss) | 96.7pF |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向传输电容(Crss) | 0.8pF | |
| 工作温度 | -40℃~+225℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 45.4pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±10V |
商品概述
这些高耐用性器件专为高电压驻波比(VSWR)的工业(包括激光和等离子体激励器)、广播(模拟和数字)、无线电/陆地移动应用而设计。它们采用非匹配输入和输出设计,可在1.8至600 MHz的宽频率范围内使用。
商品特性
- 宽工作频率范围
- 极高的耐用性
- 非匹配输入和输出,可实现宽频率范围使用
- 集成稳定性增强功能
- 低热阻
- 集成静电放电(ESD)保护电路
- 采用卷带包装。后缀R1表示500个元件,44 mm宽卷带,13英寸卷轴。
应用领域
-高VSWR工业应用(包括激光和等离子体激励器)-广播(模拟和数字)-无线电/陆地移动应用
- MRFE6VP61K25GNR6
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