温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MRFE6VP5150NR1
MRFE6VP5150NR1
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- NXP(恩智浦)
- 商品型号
- MRFE6VP5150NR1
- 商品编号
- C5196440
- 商品封装
- SOT-1736-1
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.96克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 150W |
商品概述
4419是采用高单元密度先进沟槽技术生产的P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用、笔记本电脑电源管理以及其他需要高端开关的电池供电电路。
商品特性
- 宽工作频率范围
- 极高的耐用性
- 非匹配输入和输出,可实现宽频率范围使用
- 集成稳定性增强功能
- 低热阻
- 集成静电放电(ESD)保护电路
- 采用卷带包装。后缀R1表示500个元件,44 mm宽卷带,13英寸卷轴。
应用领域
-高VSWR工业应用(包括激光和等离子体激励器)-广播(模拟和数字)-无线电/陆地移动应用