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MRF101BN

描述: 射频工业、科技及医用射频
品牌名称: NXP(恩智浦)
商品型号: MRF101BN
商品编号: C5196435
商品封装: SOT-1937-1
包装方式: 管装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

这些N沟道功率MOSFET采用创新的UltraFET工艺制造。这种先进的工艺技术可在单位硅片面积上实现尽可能低的导通电阻，从而带来卓越的性能。该器件能够在雪崩模式下承受高能量，其二极管具有极短的反向恢复时间和极少的存储电荷。它专为对电源效率要求较高的应用而设计，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关，以及便携式和电池供电产品的电源管理。

商品特性

镜像引脚版本(A和B),便于在推挽、双管配置中使用
在30至50 V电压范围内进行了特性表征
适用于线性应用
集成静电放电(ESD)保护,具有更大的负栅源电压范围,可改善C类工作状态
纳入恩智浦(NXP)产品长期供应计划,产品推出后至少保证供应15年

应用领域

工业、科学、医疗(ISM)
激光产生
等离子体蚀刻
粒子加速器
磁共振成像(MRI)及其他医疗应用
工业加热、焊接和干燥系统
无线电和甚高频电视广播
高频和甚高频通信
开关模式电源

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	漏源电压(Vdss)	133V
	耗散功率(Pd)	100W
	阈值电压(Vgs(th))	2.2V
	输入电容(Ciss)	149pF

	属性	参数值
	反向传输电容(Crss)	0.96pF
	工作温度	-40℃~+175℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	43.4pF