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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 133V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 输入电容(Ciss) | 149pF |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向传输电容(Crss) | 0.96pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 43.4pF |
商品概述
这些器件专为高频(HF)和甚高频(VHF)通信、工业、科学和医疗(ISM)以及广播应用而设计。这些器件极为耐用,在高达250 MHz的频率下表现出高性能。
商品特性
- 镜像引脚版本(A和B),便于在推挽、双管配置中使用
- 在30至50 V电压范围内进行了特性表征
- 适用于线性应用
- 集成静电放电(ESD)保护,具有更大的负栅源电压范围,可改善C类工作状态
- 纳入恩智浦(NXP)产品长期供应计划,产品推出后至少保证供应15年
应用领域
- 工业、科学、医疗(ISM)
- 激光产生
- 等离子体蚀刻
- 粒子加速器
- 磁共振成像(MRI)及其他医疗应用
- 工业加热、焊接和干燥系统
- 无线电和甚高频电视广播
- 高频和甚高频通信
- 开关模式电源