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MRF300BN
高耐用性N沟道增强型横向MOSFET射频功率LDMOS晶体管，适用于HF和VHF通信、工业、科学、医疗和广播应用
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- 描述
- 射频 工业、科技及医用射频
- 品牌名称
- NXP(恩智浦)
- 商品型号
- MRF300BN
- 商品编号
- C5196437
- 商品封装
- SOT-1930-1
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.19克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 133V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 403pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.31pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 104pF | |
| 栅极电压(Vgs) | -6V；10V |
商品概述
这些器件专为高频(HF)和甚高频(VHF)通信、工业、科学和医疗(ISM)以及广播应用而设计。这些器件极为耐用,在高达250 MHz的频率下表现出高性能。
商品特性
- 镜像引脚版本(A和B),便于在推挽、双管配置中使用
- 在30至50 V电压范围内进行特性表征
- 适用于线性应用
- 集成静电放电(ESD)保护,具有更大的负栅 - 源电压范围,可改善C类工作状态
- 纳入恩智浦(NXP)产品长寿计划,产品推出后至少保证供应15年
应用领域
- 工业、科学、医疗(ISM)
- 激光产生
- 等离子体蚀刻
- 粒子加速器
- 磁共振成像(MRI)及其他医疗应用
- 工业加热、焊接和干燥系统
- 无线电和甚高频电视广播
- 高频和甚高频通信
- 开关模式电源
- MRFE6VP5150GNR1
- MRFE6VP5150NR1
- MRFE6VP61K25GNR6
- MRFE6VP6600GNR3
- MRFX1K80HR5
- MRFX600GSR5
- MRFX600HSR5
- AFT05MS031GNR1
- SA615DK/01,112
- TFF1024HN/N1,135
- TFF1007HN/N1,115
- TFF1007HN/N1,118
- OL2385AHN/001A2Y
- TFA9879HN/N1,118
- SAF3602EL/V3040BK
- SAF3607EL/V1040AK
- TEF6686HN/V102Y
- SGTL5000XNBA3
- 88W8987-A2-EAHE/AZ
- IW416HN/A1CK
- IW416HN/A1CMP