MRFE6VP6600GNR3

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品牌名称: NXP(恩智浦)
商品型号: MRFE6VP6600GNR3
商品编号: C5196447
商品封装: SOT-1825-1
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)

	属性	参数值
	耗散功率(Pd)	600W

商品概述

本产品为高耐用性N沟道增强型横向MOSFET射频功率LDMOS晶体管。这些高耐用性器件设计用于高VSWR的工业、医疗、广播和移动无线电应用，其输入输出无需匹配设计可支持1.8 MHz至600 MHz的宽频率范围使用。MRFE6VP6600N和MRFE6VP6600GN为1.8-600 MHz、600 W CW、50 V宽频带射频功率LDMOS晶体管，分别采用OM-780-4L塑料封装和OM-780G-4L塑料封装，封装暴露背面为晶体管的源极。

商品特性

输入输出无需匹配，支持宽频率范围使用
器件可单端使用，也可推挽配置使用
最高可支持50 VDD工作
30 V至50 V范围已完成表征，支持扩展功率范围
配合合适偏置可适用于线性应用
集成ESD保护，具备更大的负栅源电压范围，可改善C类工作性能
已表征串联等效大信号阻抗参数
推荐驱动器件:AFT05MS004N (4 W) 或 MRFE6VS25N (25 W)

应用领域

广播
FM广播
HF和VHF广播
工业、科学、医疗(ISM)领域
CO2激光发生
等离子体刻蚀
粒子加速器（同步加速器）
MRI
工业加热/焊接
移动无线电
HF和VHF通信
PMR基站