- 引脚图
- 焊盘图
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A2T09D400-23NR6
N沟道 70V
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- 描述
- 射频 工业、科技及医用射频
- 品牌名称
- NXP(恩智浦)
- 商品型号
- A2T09D400-23NR6
- 商品编号
- C5196427
- 商品封装
- SOT-1819-2
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 13.377333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 70V | |
| 耗散功率(Pd) | 93W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 工作温度 | -40℃~+225℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 栅极电压(Vgs) | 10V |
商品概述
这款93 W对称Doherty射频功率LDMOS晶体管专为覆盖716至960 MHz频率范围的蜂窝基站应用而设计。
商品特性
- 在对称Doherty配置下进行生产测试
- 更大的负栅源电压范围,改善C类工作状态
- 专为数字预失真误差校正系统设计
应用领域
- 蜂窝基站