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RU6070L-A实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

RU6070L-A

1个N沟道 耐压:60V 电流:70A

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描述
特性:60V/70A, RDS(ON) = 6.8mΩ(典型值)@VGS = 10V。 超高密度单元设计。 超低导通电阻。 100%雪崩测试。 提供无铅和环保器件(符合RoHS标准)。应用:电源管理。 开关应用
商品型号
RU6070L-A
商品编号
C558984
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.496克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)70A
导通电阻(RDS(on))6.8mΩ@10V,35A
耗散功率(Pd)107W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)45nC@10V
输入电容(Ciss)-
反向传输电容(Crss)180pF@30V
工作温度-55℃~+175℃

商品特性

  • 60V/70A
  • 在VGS = 10 V时,RDS(ON) = 6.8 mΩ(典型值)
  • 超高密度单元设计
  • 超低导通电阻
  • 100%雪崩测试
  • 提供无铅环保器件(符合RoHS标准)

应用领域

  • 电源管理
  • 开关应用
  • 负载开关

数据手册PDF