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DMN601DWKQ-7
2个N沟道 耐压:60V 电流:0.3A
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- 描述
- 这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC-Q101标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于电机控制和电源管理功能。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN601DWKQ-7
- 商品编号
- C5157739
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@5V,0.05A | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 304pC | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF@25V | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ |
商品特性
- 高速开关
- 可实现4.5 V栅极驱动
- 低驱动电流
- 高密度安装
- 低导通电阻
- 典型导通电阻RDS(on) = 5.2 mΩ（VGS = 10 V时）
- 无铅
- 无卤