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DMN2028USS-13
1个N沟道 耐压:20V 电流:9.8A
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- 描述
- 该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(on)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2028USS-13
- 商品编号
- C5157769
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.23克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 12.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 158pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC - Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于：电机控制、电源管理功能。
商品特性
- 双N沟道MOSFET
- 低导通电阻
- 低栅极阈值电压
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 超小型表面贴装封装
- 静电放电（ESD）保护
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- 符合AEC - Q101高可靠性标准
- 支持生产件批准程序（PPAP）
应用领域
- 电机控制-电源管理功能