温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMT6017LFV-7
1个N沟道 耐压:65V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 该MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT6017LFV-7
- 商品编号
- C5157830
- 商品封装
- PowerDI3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.095克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V；17.1mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.12W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 891pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 29pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 223pF |
商品概述
F10N70L是一款高压功率MOSFET，具备更优特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻以及高抗雪崩特性。该功率MOSFET通常用于开关电源和适配器的高速开关应用。
商品特性
- 100%非钳位电感开关,生产中测试——确保最终应用更可靠、更耐用
- 低 RDS(ON)——确保导通损耗最小化
- 小尺寸、热效率高的封装,可实现更高密度的终端产品
- 仅占用SO - 8封装33%的电路板面积,使终端产品更小
- 栅极具备ESD保护
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
-电机控制-DC-DC转换器-电源管理