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DMG3420UQ-7
1个N沟道 耐压:20V 电流:5.47A
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- 描述
- 此MOSFET旨在满足汽车应用的严格要求。它符合AEC-Q101标准，并支持PPAP。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMG3420UQ-7
- 商品编号
- C5157847
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.47A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 740mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 950mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 434.7pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 61.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 69.1pF |
商品概述
UTC 2N80是一款N沟道功率MOSFET，采用UTC先进技术，为客户提供平面条状和DMOS技术。该技术专门用于实现极低的导通电阻和卓越的开关性能。它还能在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。UTC 2N80广泛应用于高效开关模式电源。
商品特性
- RDS(导通) ≤ 6.3Ω @ VGS = 10V，ID = 1.2A
- 高开关速度
应用领域
- 高效开关模式电源
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