温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
UF640G-TN3-R
N沟道功率MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 这类 n 沟道功率 MOSFET 场效应晶体管具有低传导功率损耗、高输入阻抗、高开关速度和线性传输特性，因此可用于各种功率转换应用。UF640 适用于谐振和 PWM 转换器拓扑。
- 品牌名称
- UTC(友顺)
- 商品型号
- UF640G-TN3-R
- 商品编号
- C5157861
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.48克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 805pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 46pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 240pF |
商品概述
这类n沟道功率MOSFET场效应晶体管具有低传导功率损耗、高输入阻抗、高开关速度和线性传输特性,因此可用于各种功率转换应用。 UF640适用于谐振和PWM转换器拓扑。
商品特性
- RDS(ON) < 0.18Ω @ VGS = 10V, ID = 10A
- 超低栅极电荷(典型值43nC)
- 低反向传输电容(CRSS典型值100pF)
- 快速开关能力
- 规定雪崩能量
- 改善dv/dt能力,高耐用性
应用领域
-开关电源-适配器