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SSM6N813R,LXHF
SSM6N813R,LXHF
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM6N813R,LXHF
- 商品编号
- C5157936
- 商品封装
- SMD-6P
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 88mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.6nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 242pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 106pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 符合AEC-Q101标准
- 175°C MOSFET
- 4.5V驱动
- 低漏源导通电阻:
- RDS(ON) = 110 mΩ(典型值)(@VGS = 4.5V)
- RDS(ON) = 88 mΩ(典型值)(@VGS = 10V)
应用领域
- 电源管理开关