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IRF3205STRPBF
耐压:55V 电流:110A
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- 描述
- 先进的HEXFET功率MOSFET采用先进的加工技术，以实现单位硅片面积极低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可广泛应用于各种领域。D²Pak是一种表面贴装功率封装，能够容纳尺寸达HEX - 4的芯片
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF3205STRPBF
- 商品编号
- C5157955
- 商品封装
- D2PAk
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.67克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V,62A | |
| 耗散功率(Pd) | 200W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 146nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.247nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
FH3415F采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- VDS = -30V，ID = -4.2A
- VGS = -10V时，RDS(ON) < 45mΩ
- VGS = -4.5V时，RDS(ON) < 53mΩ
- VGS = -2.5V时，RDS(ON) < 72mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
应用领域
- PWM应用-负载开关-电源管理
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- LM2594HVM-ADJ(UMW)
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