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DMN3025LFG-13
1个N沟道 耐压:30V 电流:7.5A
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- 描述
- 此MOSFET旨在最大程度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN3025LFG-13
- 商品编号
- C5157764
- 商品封装
- PowerDI3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@4.5V,7A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 605pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 58pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -20V，漏极电流（ID） = -5.4A
- 栅源电压（VGS） = -2.5V时，导通电阻（RDS(ON)） < 60mΩ
- 栅源电压（VGS） = -4.5V时，导通电阻（RDS(ON)） < 4.5mΩ
- 高功率和高电流处理能力
- 产品无铅
- 表面贴装封装
应用领域
- 电机控制与驱动
- 电池管理
- 不间断电源（UPS）